ASML "2014년 양산용 EUV장비 선보일것" (2012.11.5)

• SEMI 회원사 소식: "2014년 양산용 EUV장비 선보일것"

2012.11.5 ㅡ "반도체 업체들의 양산용 극자외선(EUV) 포토 리소그래피(노광) 장비는 2014년 선보일 예정입니다."

김영선 ASML코리아 사장은 4일 디지털 타임스와의 인터뷰에서 EUV 노광 장비 개발과 관련, "기술적 어려움은 극복했지만, 소스(광원) 문제가 EUV 장비 공급의 열쇠가 될 것"이라며 오는 2014년 출시를 자신했다.

ASML은 네덜란드에 본사를 둔 전세계 반도체 장비 업계 1위 업체다. 이 회사에서 공급하는 노광장비는 삼성전자, 인텔, TSMC, SK하이닉스 등 전세계 반도체 업체들이 이용하고 있다. 20나노대 이하 미세공정으로 진화하고 있는 반도체 제조 공정에서 노광은 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 핵심 과정이다. 반도체 공정 진화에 가장 중요한 장비를 이 회사가 사실상 독점 공급하고 있는 셈이다.

김 사장은 "회사가 개발한 NXE 3300은 10나노대 공정을 위한 양산 장비로 시간당 웨이퍼 처리량이 125장은 돼야 경제성이 있는데 아직 거기까지 미치진 못했다"며 "로드맵 상 내년 양산용 장비는 개발돼야 하지만, 현 상황에서는 2014년 본격 양산될 것"이라고 말했다.

반도체 제조공정은 반도체 회로도가 그려진 마스크(Mask)라는 패턴판에 빛을 통과시켜 감광액이 묻은 웨이퍼를 마스크에 그려진 것과 같은 형태로 축소된 회로패턴을 그리는 것이다. 이 과정에서 핵심은 빛을 쪼이는 노광기술로 특정 파장의 광원을 이용, 빛을 정밀하게 쪼여야 작동이 가능한 반도체를 생산할 수 있다. 현재 20∼40나노대 반도체 제조 공정에서 사용되는 노광장비는 193nm 레이저 파장을 갖는 이머전(액침방식) 불화아르곤(ArF)이다. 반도체 회로 선폭을 20나노 이하로 줄이려면 파장이 좀 더 짧은 EUV 노광 장비가 필요하다.

김 사장은 "13.5나노 파장을 쓰는 EUV는 현재 단계에서 광원 에너지(소스)가 부족하다"며 "하지만, 시간당 70장만 노출돼도 EUV가 (현재 20나노대에서 주로 활용되고 있는 방법인) 더블 패터닝 보다 경제성이 있다"고 말했다.

다만, 20나노 이하 미세공정을 위한 투자가 과연 반도체 업체들에게 경제성이 있는 지가 향후 EUV 도입 과정에서 중요한 변수가 될 전망이다. EUV 장비는 천문학적 금액을 필요로 하는 만큼 투자비용에 대한 회수 문제가 중요해지고 있기 때문이다.

현재 개발 중인 EUV 장비가 본격 적용되는 공정은 10나노대 공정이 될 것으로 전망했다. 그는 "20나노 공정을 위해 EUV 장비가 필요하지는 않을 것"이라며 "20나노가 경제적 로드맵은 아니며 잠시 지나가는 단계로 나중에는 14나노 공정 경쟁이 본격화 될 것"이라고 말했다. 또, 그는 "CPU나 모바일 AP 같은 로직 분야는 14나노 공정 전환에 대한 필요성이 명확하다"면서도 "EUV 장비는 기술적으로 필요한 사용자와 공급자가 같이 개발해서 쓰는 형태로 기술적 부문에 대한 공유가 중요하다"고 말했다.

이를 위해 인텔, 삼성전자, TSMC 등은 차세대 EUV 장비 개발을 위해 지난 여름 천문학적 금액을 투자한다고 밝힌 바 있다.